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双向可控硅设计十条黄金准则

发布时间:2022-08-26 09:44:19    浏览:112

  1、为了导通闸流管(或双向可控硅),必须有门极电流≧IGT ,直至负载电流达到≧IL 。这条件必须满足,并按可能遇到的较低温度考虑;

  2、要断开(切换)闸流管(或双向可控硅),负载电流必须《IH, 并维持足够长的时间,使能回复至截止状态。在可能的较高运行温度下必须满足上述条件;

  3、设计双向可控硅触发电路时,只要有可能,就要避开3+象限(WT2-,+);

  4、为减少杂波吸收,门极连线长度降至较低。返回线直接连至MT1(或阴极)。若用硬线,用螺旋双线或屏蔽线。门极和MT1 间加电阻1kΩ或更小。高频旁路电容和门极间串接电阻。另一解决办法,选用H 系列低灵敏度双向可控硅;

  5、若dVD/dt 或dVCOM/dt 可能引起问题,在MT1 和MT2 间加入RC 缓冲电路。若高dICOM/dt 可能引起问题,加入一几mH 的电感和负载串联。另一种解决办法,采用Hi-Com 双向可控硅;

  6、假如双向可控硅的VDRM 在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被超出,采用下列措施之一: 负载上串联电感量为几μH 的不饱和电感,以限制dIT/dt; 用MOV 跨接于电源,并在电源侧增加滤波电路;

  7、选用好的门极触发电路,避开3+象限工况,可以较大限度提高双向可控硅的dIT/dt 承受能力;

  8、若双向可控硅的dIT/dt 有可能被超出,负载上较好串联一个几μH 的无铁芯电感或负温度系数的热敏电阻。另一种解决办法:对电阻性负载采用零电压导通;

  9、器件固定到散热器时,避免让双向可控硅受到应力。固定,然后焊接引线。不要把铆钉芯轴放在器件接口片一侧;

  10、为了长期可靠工作,应保证Rth j-a 足够低,维持Tj 不高于Tjmax ,其值相应于可能的较高环境温度。

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